先进科技：先进科技有限公司

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金融界 2024 年 11 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种大尺寸、低电阻 4H 碳化硅晶棒、低电阻 4H 碳化硅 Wafer 及制备方法”的专利，公开号 CN 119041030 A，申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种大尺寸、低电阻 4H 碳化硅晶棒、低电阻 4H 碳化硅 Wafer 及制备方法，属于 N 型碳化硅单晶材料制备技术领域该 4H 碳化硅晶棒的厚度为 15mm 以上，所述 4H 碳化硅晶棒任意位置处的电阻率大于 12m Ω·cm 且小于 15m Ω·cm，且所述 4H 碳化硅晶棒面内的电阻率差值在 0.5 m Ω·cm 以下，所述 4H 碳化硅晶棒的硅面与碳面的电阻率差值在 1m Ω·cm 以下。

该 4H 碳化硅晶棒的电阻率低于现有的产品，且面内及轴向电阻率分布更均匀，有利于器件整体导通电阻的降低，为提高 4H 碳化硅 Wafer 质量及器件性能提供了新的方案本文源自金融界