南亚科技_南亚科技股份有限公司
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金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件的制备方法”的专利，公开号 CN 119677096 A，申请日期为 2023年12月专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件的制备方法。
该方法包括提供一基板；形成一位元线于该基板上；形成一隔离间隔物于该位元线的一侧上，其中该隔离间隔物包括一气隙；形成一着陆垫于该位元线之上；以及进行一沉积工艺以形成一气隙保护结构，以覆盖该着陆垫和该气隙，其中该沉积工艺期间的一温度范围在约530℃和约570℃之间 。
本文源自金融界
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